晶圆需要平坦化是因为在半导体工艺中，晶圆的表面平整度对于制造高质量芯片非常重要。一个平坦的晶圆表面能够确保光刻机、薄膜沉积机等工艺设备能够均匀地进行操作，从而确保芯片的制造精度和性能。

保证器件制造的精度：在半导体器件的制造过程中，需要在晶圆表面上进行多个层次的沉积、刻蚀、光刻等工艺步骤，这些工艺需要基于晶圆表面的平坦度来进行对齐和控制。如果晶圆表面不平坦，会导致工艺控制的偏差和误差，最终影响器件的制造精度和性能。

保证器件电性能的可靠性：晶圆表面平坦度不仅影响器件制造过程中的工艺控制，同时也会对器件的电性能和可靠性产生影响。如果晶圆表面不平坦，会导致金属线路或电介质层的厚度不均匀、介质层磁耦合等问题，最终影响器件的电性能和可靠性。平坦化可以降低这些问题的风险。

为了使晶圆获得表面平坦化，可以通过以下几种工艺来实现：

机械研磨和抛光：机械研磨是通过机械力和磨料将晶圆表面的高点磨平，使其变得平整。这个过程通常在研磨机上进行，这是最常用的平坦化工艺，通过使用研磨和抛光工具，去除晶圆表面的不均匀物质和凹凸部分，从而获得平坦的表面。晶圆会与研磨盘接触并进行旋转、摩擦，以去除表面凸起的不平坦性。

化学机械抛光（CMP）：化学机械抛光（CMP）是一种结合化学溶液和机械磨损的工艺。为了使晶圆获得表面平坦化，常用的工艺包括机械研磨和化学机械抛光（CMP），CMP是一种结合了化学和机械作用的平坦化工艺。通过在研磨中添加化学试剂，可以更好地控制表面的平整度和杂质残留。在CMP过程中，晶圆被放置在旋转的研磨盘上，上面涂有一层特殊的抛光液。抛光液中含有化学物质和磨料颗粒，通过机械磨损和化学反应，可以同时去除晶圆表面的不平坦性。

等离子体蚀刻：等离子体蚀刻可以使用等离子体将晶圆表面的材料剥离或蚀刻，从而实现平坦化。这种工艺适用于特定材料和厚度的平坦化需求。

高温热处理：高温热处理可以使晶圆松弛，减小表面的应力和不平整度，从而提高平坦度。

这些工艺可以单独使用，也可以组合使用，以实现对晶圆表面平坦化的要求。根据不同的制造需求和材料特性，选择适合的平坦化工艺是非常重要的。