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第二届第三代半导体材料及装备发展研讨会在北京中国科学院半导体所学术会议中心于2020年9月5日成功举办。为了形成研究机构、设备、生产及应用企业的协同创新机制，突破共性技术难题，提升我国第三代半导体材料生产企业的技术能力，邀请产业链上下游、设备及关键零部件研究、生产单位专家代表共同深入研讨。北京特思迪半导体设备有限公司携切磨抛等设备及加工工艺受邀参加！
迟来的美好，是为了更精彩的相遇，春天的Semicon China第一次在夏天举办，在确保安全的前提下，我们没有停下脚步，防控为先，工作不停！虽然隔着口罩，虽然未到把酒言欢之时，如果您想了解我们的产品或者聊聊行业动态，欢迎移步E2135展台，为您准备了防护物资及消暑饮品！我们等您！
SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面都非常稳定。C 原子和Si 原子不同的结合方式使SiC 拥有多种晶格结构，如4H、6H、3C 等等。4H-SiC 因为其较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度，常被用来做功率器件。
中国的InP晶体行业发展起步较晚，由于技术和品牌等方面的缺陷，一直没有形成被市场广泛接受的自主品牌。因此目前国内市场仍由发达国家的技术和产品主导。随着5G发展，中国芯片产业自主安全可控迫在眉睫，有望快速推进InP等芯片材料国产替代进程。
氮化镓材料由于禁带宽度达到3.4eV，与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为第三代半导体材料，也称为宽禁带半导体。由于氮化镓具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速度大、热导率高、介电常数小、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点，成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一，具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。
自3月4日我国政府指出要加快5G网络、数据中心等新型基础设施建设进度以来，“新基建”成为经济大热词。“新基建”覆盖5G基建、特高压、城际高铁和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网七大领域，完全可以用硬核科技四个字来概括，而处于最上游的半导体业又将如何厉兵秣马？
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