晶圆制造过程主要包括扩散 (Thermal Process) 、光刻 (Photo-lithography) 、刻蚀 (Etch) 、离子注入 (lonlmplant) 、薄膜生长(DielectricDeposition) 、化学机械抛光(CMP) 、金属化(Metalization) 七个相互独立的工艺流程 ，这些工艺流程都会有相对应的晶圆制造设备来完成芯片制造流程。晶圆制造设备主要包括光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、CMP 抛光设备、过程检测七大类。CMP 是一种集机械学、流体力学、材料化学、精细化工、控制软件等多领城最先进技术于体的设备，是集成电路制造设备中较为复杂和研制难度较大的设备之一