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特思迪共话发展新机遇|SEMI化合物半导体材料技术论坛圆满落幕

作者:    时间:2023-05-08    阅读量:1638

由SEMI中国主办,松山湖科学城指导,广东中图半导体科技股份有限公司承办,北京特思迪半导体等赞助的“SEMI化合物半导体材料技术论坛”4月26-27日在广东东莞圆满落幕。


以化合物半导体为代表的半导体新材料快速崛起,在新能源汽车、消费类电子等领域有广泛的应用前景。以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的化合物半导体市场空间不断拓展,伴随化合物半导体下游需求旺,前景明朗可期。

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SEMI全球副总裁,中国区总裁居龙先生,出席会议并现场致辞,同大家分享了半导体产业的近况和展望。去年全球半导体行业增长3.2%达到5735亿美元的市场规模,今年居总以“寒潮弥昧待春暖,长风破浪会有时”来形容现阶段的半导体产业,从去年第三季度开始由于终端消费类电子市场增长乏力,地缘政治加剧,以及世界宏观经济和政治形势等因素,半导体产业已进入下行周期。根据目前第一季度的最新数据,行业销售额普遍下滑,库存也比年初预期更严重,估计半导体产业今年第四季度或明年初开始复苏。

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松山湖材料实验室微加工与器件平台副主任,研究员级高工汪洋详细探讨了面向化合物半导体材料与器件微纳加工平台。微加工与器件平台为松山湖材料实验室公共技术平台下设子平台,平台立足于微纳加工技术前沿及半导体器件产业发展趋势,积极布局先进微电子器件、光电子器件、MEMS&NEMS器件、柔性器件、3D混合集成器件等领域,以满足电子信息、先进显示、人工智能、清洁能源、新概念材料加工等技术发展对于微纳加工的需求。

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北京铭镓半导体有限公司总经理陈政委详细探讨了超宽禁带半导体材料氧化镓及其器件产业化分析。陈博士介绍了氧化镓Ga2O3是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料,以β-Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻,从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率,在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。北京铭镓半导体有限公司致力于研发生产人工晶体材料,包括第四代半导体材料氧化镓、高频磷化铟晶体和大尺寸掺杂光学晶体。

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山西烁科晶体有限公司总经理助理马康夫详细探讨了SiC单晶生长技术浅析及应用展望。马总首先介绍了SiC材料的物理特性,并与传统的一代半导体Si材料做了对比,分析了SiC相对于Si材料的优势。随后分别阐述了半绝缘型SiC以及N型SiC的应用场景及市场规模。紧接着浅析了SiC单晶缺陷及生长技术并简要介绍了本单位的发展规划及研发进展。最后对行业的发展提出了建议。


会议上午场由华灿光电股份有限公司副总裁王江波先生主持,下午场由常州臻晶总经理陆敏先生主持。来自华灿光电、中图半导体、苏州汉骅半导体、奥趋光电、松山湖材料实验室、珂矽信息、广东先导、北京铭镓半导体、镓特半导体、山西烁科、深圳中机新材料、化合积电的专家参加本次论坛并做报告分享,产业界近260余位嘉宾出席了本次会议。

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此外,同期举行了“SEMI中国化合物半导体标准技术委员会2023年度春季会议”。至此,SEMI 化合物半导体材料技术论坛圆满落下帷幕。未来,特思迪将把握趋势、顺势而为,携手合作伙伴,以奋斗者的姿态与时代同行,成就客户的核“芯”竞争力,带给产业无限可能。
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