半导体晶圆在减薄抛光阶段对光刻的影响主要体现在晶圆表面的质量和厚度上。减薄抛光的主要目的是将晶圆厚度减薄到满足芯片制造要求的标准，同时使晶圆表面达到所需的粗糙度和平坦度。如果抛光过程不当，可能会导致晶圆表面出现不平整、粗糙或划痕等问题，这些问题会直接影响后续的光刻工艺。

光刻工艺是将设计好的电路图形从光刻板上转移到晶圆片表面光刻胶上的关键步骤。在光刻过程中，如果晶圆表面存在不平整或缺陷，可能导致光刻胶的涂布不均匀，曝光时出现光线散射或衍射，从而影响光刻图形的精度和分辨率。此外，晶圆厚度的变化也可能对光刻焦距和曝光条件产生影响，需要调整光刻机的参数以适应不同厚度的晶圆。

因此，在半导体晶圆减薄抛光阶段，需要严格控制抛光工艺，确保晶圆表面的质量和厚度满足光刻工艺的要求。通过优化抛光液、抛光盘等参数，提高抛光效率和质量，可以减小对光刻工艺的影响，提高芯片制造的良品率和性能。

总的来说，半导体晶圆在减薄抛光阶段对光刻的影响是一个需要重视的问题。通过合理的工艺控制和参数优化，可以减小这种影响，确保芯片制造的顺利进行。