化学机械平面化(CMP)是一种在半导体和磁盘驱动器制造中常用的抛光技术.为了生产出高品质的产品，仅需要关注CMP工艺本身， 还要充分考虑CMP后清洗环节的稳定性。随着CMP工艺精度的不断提高，清洗环节的作用日益凸显。由于CMP过程中 使用了研磨液、晶圆、抛光垫等材料，清洗环节需要有效去除这些残留物，这无疑增加了清洗的难度。

CMP 过程中污染物可能来自以下几个方面：

抛光液中的成分可能因CMP抛光工艺的选择而 有所不同，可能含有硅酸盐氧化物(SiO2 )、氧 化铝(AI 2 0 3)或氧化锦(CeO 2 )o在CMP过 程中，我们使用的抛光垫容易通过传统的湿式 表面清洁工艺去除。然而，金属污染物是最难 去除的部分之一，它可以牢固地粘附在基板表 面上，甚至嵌入晶圆表面。

为了有效去除附着在CMP抛光基板表面的颗粒，应从不同方面考虑。

在晶圆衬底的清洁过程中，表面张力和润湿性 是非常重要的因素。如果处理不当，可能会对 晶圆的表面产生负面影响。因此，需 要了解晶圆表面的性质，比如是否容易被水润湿。一般来说，亲水表面更容易被水润湿，因 此在清洗过程中更容易去除污染物和水渍痕迹。、

CM P工艺中的抛光液 在CM P工艺中，抛光液的使用可能会影响颗粒 粘附的结果。不同的抛光液，如酸性、中性或 碱性基浆料，在晶圆表面上的作用会有所不同。一般来说，碱性浆料的附着力较低。所 以，如果附着力过大，可能会导致晶圆表面出现划痕。