在全球半导体行业中，第一代半导体材料硅基半导体占据95%市场份额。然而，随着电动汽车和5G通讯等新兴技术的迅猛发展。以碳化硅为代表的三代半导体材料逐渐收到关注，这种材料具备禁带宽度大、击穿电场高、导热率大等优势，尤其在高压环境中，其表现出的优势更为明显。

SiC衬底加工技术是器件制作的关键基础，因为其表面加工的质量和精，度直接影响到外延薄膜的质量和器件的性能。因此，对于碳化硅衬底材料的加工，需要确保晶片表面超光滑、无缺陷、无损伤，表面粗糙度必须保持在纳米以下。在另外一方面，碳化硅晶片的加工变得非常困难，因为该晶体具有高硬度，耐磨性好，高脆性，化学稳定性好等特点。

化腐朽为神奇，碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序：

切割

切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的切割方式是多线砂浆切割。

切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程，常规的切割方式是多线砂浆切割，可将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片。。

研磨

研磨工艺则是去除切割过程中产生的表面刀纹和损伤层，修复切割变形。由于SiC的高硬度，研磨过程中需使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）来研磨SiC切片的晶体表面。

常规的研磨工艺一般分为粗磨和精磨。

粗磨

该工艺采用铸铁盘与单晶金刚石研磨液进行双面研磨。其有效去除线切割产生的损伤层，修复表面形态，降低TTV、Bow、Warp，并具有稳定的去除速率，一般达到0.8-1.2um/min。

精磨

该工艺采用聚氨酯发泡Pad与多晶金刚石研磨液进行双面研磨。加工后的晶片表面粗糙度较低，达到Ra<3nm，这更有利于碳化硅衬底片后续抛光工序的进行。然而，该工艺存在划伤不良的问题。