第三代半导体CMP化学抛光工艺实现量产需要经过以下步骤：

CMP化学抛光液的选择：选择适合第三代半导体材料的CMP化学抛光液，包括抛光液的成分、浓度、pH值等参数。不同的第三代半导体材料可能需要不同的抛光液。

基板准备：将第三代半导体材料的基板进行预处理，包括清洗、去除杂质、平坦化等步骤，以确保基板表面的平整度和纯净度。

抛光条件优化：通过实验和测试，确定适合第三代半导体材料的CMP抛光条件，包括抛光液的流量、抛光头的压力、转速等参数。这些参数需要根据实际情况进行调整和优化。

抛光过程控制：使用CMP设备进行第三代半导体材料的CMP抛光过程，通过实时监测和控制关键参数，如抛光液的流量、抛光头的压力、转速等，确保抛光结果符合要求。

质量检测与改进：对抛光后的第三代半导体材料进行质量检测，包括表面平整度、表面粗糙度、表面缺陷等。根据检测结果，对CMP抛光工艺进行改进和优化，以提高产品质量。

设备维护与保养：定期对CMP设备进行维护和保养，保证设备的正常运行和稳定性，以提高抛光的一致性和可靠性。

通过上述步骤，可以实现第三代半导体材料在CMP化学抛光工艺中的量产。同时，随着CMP技术的进一步发展，对于第三代半导体材料的CMP工艺也会不断优化和改进，以更好地满足市场需求。