在当前全球半导体产业多个赛道高强度竞争下，每道工艺的技术都在向更高一步推进，那么在基层的抛光技术又是如何在要求自己呢，首先我们要明白抛光的工艺原理是怎样的

晶圆抛光是一种常用的半导体加工技术，其原理主要是通过机械化学作用去除晶圆表面的不平整和污染物，使其达到高质量的光滑度。

晶圆抛光的过程通常包括三个主要步骤：机械研磨、化学机械抛光和清洗。

首先，通过机械研磨，使用特殊的研磨材料（如氧化铝）和研磨液体，在机械力的作用下，将晶圆表面的凸起部分磨平。这个步骤能够去除晶圆表面的粗糙度和微小的凹陷。

接下来是化学机械抛光，这是晶圆抛光的关键步骤。在这个过程中，晶圆被放置在抛光盘上，与抛光液体和抛光垫接触。抛光液体通常包含有机酸、氧化剂和缓冲剂等成分，能够溶解晶圆表面的氧化层和其他污染物。同时，抛光垫在机械力的作用下，不断改变晶圆与抛光液体之间的接触面积，以保证均匀的抛光效果。

最后，晶圆经过抛光后需要进行清洗，以去除抛光液体和残留的污染物。清洗液体通常是一种弱碱性溶液，能够有效去除抛光液体和其他残留物，同时保护晶圆表面不被再次污染。

总的来说，晶圆抛光通过机械研磨和化学机械抛光的组合作用，能够去除晶圆表面的不平整和污染物，提高其质量和光滑度，以满足半导体制造的要求。