为了提高生产率，许多设备制造商生产用于减薄和处理多个晶圆的设备。这些机器的设计与研磨主轴的选择一样影响减薄晶圆的质量。

晶圆内的总厚度变化在晶圆背面减薄抛光过程中必须密切监控的工艺参数（输入和输出）包括：

1.晶圆与晶圆之间的厚度变化

2.平均粗糙度

3.翘曲和弯曲

4.模具强度

5.最终晶圆厚度

减薄其他细化选项

减薄晶圆的能力还取决于晶圆材料本身。硅晶圆比一些较新的材料更容易变薄，例如砷化镓或磷化铟，这些材料往往更脆，更容易受到机械损坏。现在将 200 毫米硅晶片减薄到 150 微米的厚度是可行的，但 100 毫米砷化镓晶圆通常只能减薄到 250 微米。

随着用于便携式和手持产品的更小和更薄封装的普及，对更薄半导体器件的需求增加，因此晶圆减薄技术变得比以往任何时候都更加重要。随着更厚的 300 毫米晶圆、凸块晶圆、堆叠芯片要求和超薄封装的出现，晶圆背面减薄研磨设备和工艺正成为装配的关键问题。