化学机械抛光机
TMP-200S

对二维材料的基底以及晶圆表面进行平坦化处理,以消除表面起伏和缺陷,提高表面的平整度,精确控制晶圆表面薄膜的厚度,对于提高芯片的性能和可靠性具有重要意义,也便于后续工艺步骤的顺利进行。

抛光盘系统:抛光盘材质为铝合金(铝&硬质阳极氧)抛光盘由功率1.5kW的减速电机驱动转速范围:0~180rpm,误差在±2rpm以内,可无级调节;配有缓慢启动、缓慢停止系统;抛光盘底座冷却系统,配置红外温度检测系统;抛光盘尺寸530mm

CMP设备4/6/8寸都可以兼容。

抛光头加压、驱动系统抛光头数量为1个;抛光头驱动电机功率0.75kW;

抛光头转速范围:0~200 rpm,速度可调;抛光头加压:柔性加压,压力可调;

抛光头分区:3 zone(6寸),5 zone(8英寸),4英寸单zone;抛光头压力范围:0-10 psi(8英寸);0-7 psi(6英寸);压力误差在±1%psi以内;抛光头摆动速度:5r/min抛光头摆动角度:±1°

抛光液供应系统配置3路单独的隔膜泵供液系统(可使用三种不同类型抛光液供液,防止同一路使用时有污染)抛光液闭环流量控制器供液范围:50-200 ml/min;抛光液闭环流量控制器供液控制精度:±1%。

半自动上下片系统具备半自动上下片(抛光头可旋转至上料工位吸取晶圆,可旋转至下料工位吸取晶圆),抛光头两侧配置Loading&Unloading工位,上下片分开,避免污染。

金刚石修整器方式:摆臂式;修整器压力:max 9kfg;修整头转速范围:0~150rpm(转速误差范围±1%)修整器直径:100mm

修整头及抛光垫清洗修整头清洗:喷头清洗;抛光垫清洗:水枪清洗。

控制系统具备飞片检测,对于抛光片在抛光过程中的飞片可以进行实时检测,出现飞片报警停机;同时搭配摩擦力EPD(金属Cu-SiO2介质层切换时截停)和光学宽谱EPD(SiO2层厚度监测)终点监测系统;控制方式:PC中文界面控制,可实现EPD等大量数据的计算以及存储可保存20组抛光程序,程序具有故障诊断功能。

安全储能系统要求:通过分离式结构保证安全性更高;功率大于7kW;电池容量不小于15kwh,循环寿命大于5500次。

其他配件水枪:1把,在设备前部;有防护挡板


  • 抛光盘直径

    530 mm

  • Features
    产品特点
    加压方式
    气囊加压
    驱动形式
    抛光压头自转&摆动驱动系统
    加工便捷
    可配置半自动loading上下片系统
    兼容性好
    兼容6-12英寸晶圆
    恒温控制
    抛光盘温度控制系统
    控制系统
    PC控制系统
    产品咨询
    以客户服务为中心,您的需求就是我们服务的方向,期待与您建立联系!