CMP，全称为化学机械平坦化，是晶圆制造过程中的关键技术，旨在实现晶圆表面的平坦化。

晶圆制造涉及多个相互独立的工艺流程，包括光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光和金属化。其中，化学机械抛光是通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，高效去除多余材料并实现全局平坦化的关键步骤。

CMP作业的原理是利用CMP设备，将晶圆置于抛光垫上，并加入抛光液。随后，抛光盘带动抛光垫旋转，通过抛光液中的微粒与抛光垫的摩擦实现全局平坦化。

在CMP过程中，主要的耗材包括抛光液和研磨垫。选择合适的研磨液时，需要考虑悬浮液的杂质纯度、二氧化硅颗粒尺寸、颗粒硬度及均匀度、结晶析出对晶圆品质的影响以及表面活性剂的选取和比例等因素。而研磨垫则需要具备良好的保持性、适当硬度、柔韧性以及能够排出副产品的能力，以确保获得更好的研磨效果和清洁度。

研磨垫需要有良好的保持性，适当的硬度，较好的柔韧性，并能将研磨后产生的“副产品”排出，这样研磨再现性更佳。在选择研磨液时，需要考虑悬浮液的杂质纯度、二氧化硅颗粒尺寸、颗粒硬度及均匀度、结晶析出对晶圆品质的影响以及表面活性剂的选取和比例等因素。而抛光液则是主要的耗材之一，包括二氧化硅（SIO2）、氢氧化铵（NH4OH）、有机化合物（ORGANIC COMPOUND）、水（H2O）等成分。通过CMP设备，利用抛光头将晶圆需要抛光的向下按压在抛光垫上，同时加入抛光液（研磨液），随后抛光盘带动抛光垫旋转，利用抛光液里的微粒与粗糙的抛光垫一同摩擦，从而实现全局平坦化