引领创新，助推智造，特思迪以技术创新为持续发展的动力源泉，坚持以客户需求为导向的自主创新，为客户和市场提供性能优越、高生产效率、高性价比的设备解决方案，带给产业无限可能。
可以提供各种半导体衬底材料的减薄、研磨、抛光、贴蜡、刷洗设备和工艺解决方案。
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可以提供各种半导体器件的减薄、研磨、抛光、贴蜡设备和工艺解决方案。
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可提供FlipChip、Bumping、TSV、SIP等先进封装制程晶圆减薄、CMP、CMP后清洗、EMC研磨、EMC抛平、EMC刻槽设备和工艺解决方案。
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可提供各类MEMS晶圆CMP、CMP后清洗、减薄、抛光设备和工艺解决方案
View details北京特思迪半导体设备有限公司秉承“用技术与服务助力客户发展”的使命，专注于半导体领域高质量表面加工设备的研发、生产和销售。公司以更平、更薄、更快的技术导向，重点针对半导体衬底材料、半导体器件、先进封装、MEMS等领域，提供减薄、抛光、CMP的系统解决方案和工艺设备。
引领创新，助推智造，特思迪以技术创新为持续发展的动力源泉，坚持以客户需求为导向的自主创新，为客户和市场提供性能优越、高生产效率、高性价比的设备解决方案，带给产业无限可能。
SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面都非常稳定。C 原子和Si 原子不同的结合方式使SiC 拥有多种晶格结构，如4H、6H、3C 等等。4H-SiC 因为其较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度，常被用来做功率器件。
中国的InP晶体行业发展起步较晚，由于技术和品牌等方面的缺陷，一直没有形成被市场广泛接受的自主品牌。因此目前国内市场仍由发达国家的技术和产品主导。随着5G发展，中国芯片产业自主安全可控迫在眉睫，有望快速推进InP等芯片材料国产替代进程。
氮化镓材料由于禁带宽度达到3.4eV，与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为第三代半导体材料，也称为宽禁带半导体。由于氮化镓具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速度大、热导率高、介电常数小、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点，成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一，具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。
